در این پروژه هدف طراحی و ترسیم layout و شبیهسازی یک بلوک حافظه SRAM 8*8)، 64) بیتی با نرم افزار کیدنس در تکنولوژی 180 نانومتر cmos می‌باشد. SRAM 8*8 طراحی شده شامل: سلول‌های حافظه استاتیک، مدار پیش شارژ، sense amplifier، مالتی پلکسر، گیت‌های NAND ،AND، NOR و یک دیکدر سطر می‌باشد. مهمترین بخش این طراحی سلول حافظه می‌باشد. در این پروژه از ساختار Full CMOS 6T Cell برای آرایه‌های حافظه استفاده شده است.
ساختار گزارش پروژه:
گزارش این پروژه در نه فصل ارائه شده است. در فصل اول به بیان شرح مختصری از پروژه پرداختیم. در فصول دوم تا هشت نحوه طراحی و شبیهسازی بخش‌های مختلف SRAM 8*8 بیان شده و نتایج حاصل از این طراحی‌ها و همچنین پاسخ زمانی مدارات طراحی شده و تست‌های LVS و DRC ارائه گردیده است. در بخش نهم و انتهایی این گزارش به جمع‌بندی و تست‌نهایی SRAM 8*8 پرداختیم و نتایج شبیهسازی post layout، ابعاد بلوک نهایی، مقادیر توان استاتیک و دینامیک در فرکانس 200 مگاهرتز و زمان‌های نوشتن و خواندن داده صفر و یک و همچنین پارامتر EDP را در جدول گنجانده‌ایم.
محتویات فایل: Word و Pdf شامل 80 صفحه به همراه برنامه‌های کیدنس با تکنولوژی فایل 180 نانومتر (schematic ، symbol ، layout) و خلاصه‌ای از گزارش پروژه
ندا
خلاصه پروژه رو نمی تونم پیدا کنم
مرتضی نجم
سلام. خلاصه گزارش را انتخاب کنید. و بدون هزینه خرید بزنید. تا لینک دانلود براتون بیاد
محمد
با سلام. لطفا خلاصه گزارش را نیز در سایت قرار دهید.
مرتضی نجم
سلام.
در سایت موجود هست. و میتونید دانلود کنید. الان خودم دانلود کردم و هیچ مشکلی نداشت.